Micron은 10 nm 급 노드를 4 개 더 포함하는 제조 공정 (즉, 총 6 개의 10 nm 급 기술)을 포함하는 공격적인 로드맵을 가지고 있으며 극단적 인 자외선 리소그래피 (EUVL) 로의 최종 전환을 연구하고 있습니다. 즉, 차세대 애플리케이션을위한 차세대 메모리를 생산하기 위해 생산 능력을 확대하고있다. 이 회사는 현재 클라이언트 시스템 용 32GB 메모리 모듈과 서버용 64GB DIMM을 준비하여 최신 프로세스 기술의 성과를 활용하고 있습니다.

32GB 및 64GB 메모리 모듈
이달 동사의 2 사용하여 제조되는 16 개 마이크론의 기가 DDR4 메모리 칩 설명한 ND (1Y도 수 (NM)로 알려짐)는 10 nm 세대 수준의 제조 공정. 이러한 DRAM 장치는 ADATA 및 Crucial의 클라이언트 시스템 용 32GB DDR4 비 버퍼 DIMM 프로토 타입에 이미 있습니다. 메모리 모듈은 가까운 시일 내에 출시 될 예정이지만 구체적인 출시 날짜는 아직 없습니다.

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출처: https://www.anandtech.com/show/14593/microns-dram-update-new-capacity-four-more-10nmclass-nodes-euv-64-gb-dimms