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IT정보 삼성전자, 1000배 빠른 'eMRAM' 양산…28나노 FD-SOI 공정 적용
작성자: 놀부네 조회 수: 104 PC모드
| URL 링크 : | https://kbench.com/?q=node/196766 |
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출처 : https://kbench.com/?q=node/196766
삼성전자, 1000배 빠른 'eMRAM' 양산…28나노 FD-SOI 공정 적용
6일 삼성전자가 '28나노 FD-SOI 기반 eMRAM(내장형 MRAM)' 솔루션 제품을 출하했다고 발표했다.
FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있는 공정이며, MRAM은 비휘발성(전원을 꺼도 데이터가 유지됨)이면서도 DRAM 수준으로 속도가 빠르다는 특성을 가지는 메모리 반도체다.
삼성전자의 '28나노 FD-SOI eMRAM' 솔루션은 데이터 기록시 삭제 과정이 필요없고, 기존 eFlash보다 약 1천 배 빠른 쓰기 속도를 구현한다. 또한, 비휘발성 특성도 지녀 전원이 꺼진 상태에서 저장된 데이터를 계속 유지해 대기 전력을 소모하지 않으며, 데이터 기록시 필요한 동작 전압도 낮아 전력 효율이 뛰어나다.
아울러 eMRAM 솔루션은 단순한 구조를 가지고 있어 기존 로직 공정 기반의 설계에 최소한의 레이어(Layer)를 더하는 것만으로 구현이 가능하기 때문에 고객들의 설계 부담을 줄이고 생산비용 또한 낮출 수 있다.
한편, 삼성전자는 올해 안에 1Gb eMRAM 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대해 차별화된 파운드리 경쟁력을 제공한다는 전략이다.
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빨리 보급을 해야 구경을 해보지...