CTF-PUC 결합 '독자 기술' 개발 성공
(지디넷코리아=박영민 기자)SK하이닉스가 낸드플래시 기술 중 가장 높은 단수(段數)인 96단 4D 낸드 개발에 성공하며 사업 경쟁력 강화에 박차를 가하고 있다. 동일 기술을 적용한 차세대 128단 4D 낸드도 동시에 개발 중이다.
SK하이닉스는 지난 달 말 세계 최초로 CTF(Charge Trap Flash)와 PUC(Peri Under Cell)를 결합한 4D 낸드 구조의 96단 512기가비트(Gb) 트리플 레벨셀(TLC) 낸드 개발에 성공해 연내 초도 양산에 돌입한다고 4일 밝혔다.
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출처 : https://m.news.naver.com/read.nhn?oid=092&aid=0002149453&sid1=105
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