삼성전자가 현존하는 최고 속도의 D램보다 7배 이상 빠른 차세대 ‘4기가바이트(GB) HBM2(고대역폭 메모리ㆍHigh Bandwidth Memory)D램’을 본격 양산한다고 19일 밝혔다.

지난 10월에도 ‘128GB DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈’을 양산하며 초고속 메모리 시장을 확대한 삼성전자는 두 달여 만에 2세대 HBM D램 양산에 성공했다.

이번 4GB D램은 삼성전자의 최신 20나노 공정을 적용한 8기가비트(Gb) HBM2 D램 4개로 이뤄져 있다.

1개의 버퍼칩 위에 4개의 코어칩을 쌓고 각 칩을 TSV 접합볼(Bumpㆍ범프)로 연결한 구조다.

TSV 란 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다 얇게 깎은 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다.

4GB HBM2 D램은 초당 256GB의 데이터를 전송, 현재 개발된 D램 중 가장 빠른 4GB GDDR5(9Gbps)보다 7배 이상 많은 데이터를 처리한다. 와트당 데이터 전송량은 2배 높여 전력 소모도 크게 줄였다. 그래픽카드 등에 들어갈 때는 평면에 D램을 배열하는 GDDR5에 비해 면적을 95% 이상 줄일 수 있다.

삼성전자는 올해 상반기 중 이보다 용량을 2배 올린 8GB HBM D램도 양산할 예정이다. 또 차세대 HBM 라인업을 더욱 확대해 초고속 컴퓨팅용 HBM 시장을 선점하고 글로벌 IT 고객의 수요 증가에 맞춰 HBM D램의 생산 비중을 확대할 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전세원 전무는 “차세대 HBM2 D램 양산으로 글로벌 IT기업들이 초고성능 차세대 HPC(High Performance Computing)를 적기에 도입하는데 크게 기여하게 됐다”며 “3차원 메모리 기술을 기반으로 글로벌 IT 시장 변화에 한발 앞서 대응할 것”이라고 말했다.

[김정윤 기자 chloe@chosun.com]

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