17일 ASML 은 세미콘웨스트 2017 전시회에서 EUV 노광장비 소스파워 250W를 구현했다고 공식 발표했다고 합니다.

현재 인텔이나 삼성전자 등 대형 반도체 업체가 테스트용도로 구매한 EUV 장비 NXE:3350B 의 소스파워는 125W 라고 합니다.

이 보다 파워수치를 두배 올렸다고 합니다.

250W 노광장비는 지금보다 두배 높은 시간당 125장의 웨이퍼를 처리할수 있다고 합니다.  하루 약3000장 웨이퍼를 처리할수 있는 성능이라고 합니다. 현재 반도체 업계의 양산 라인에서 주력으로 활용되는 이머전 불화아르곤(ArF)노광장비의 일처리양 5000~6000 장 보다 낮은 수치라고는 합니다.

28나노칩에 비해 7나노칩의 생산단가는 9배나 높다고 합니다. 회로선폭이 좁아지면 패터닝을 여러회 수행하기 때문인데. 현재 이머전 ArF장비로 28나노칩을 생산하려면 리소그래피 공정을 6회 수행하면 된다고 합니다. 그러나 7나노에서는 34회로 늘어나는데, 일부 민감한 회로패턴에서 EUV를 쓸경우 이 횟수가 9회로 크게 줄어든다고 합니다.

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