반도체 미세화 공정 '세계최초' 개발 성공…관련업계 '지각변동' 예고

16나노 D램 LPDDR5 생산에 적용…美·日 이어 선진국 대열 합류하나

[인포스탁데일리=이동희 기자·이형진 선임기자] 삼성전자가 반도체 전(前)공정에서 완전히 새로운 장비와 기술을 도입하며, 반도체 제조공정 독립의 첫 발을 내딛는다. 

이에 따라 미국과 일본, 유럽 등이 독식하던 반도체 제작 기술과 장비, 소재 등 원천기술에서 한국이 크게 앞서나갈 수 있게 돼 관련업계의 큰 지각변동이 예상된다. 

17일 인포스탁데일리가 단독 입수한 자료에 따르면, 삼성전자는 2018년 11월부터 반도체 전공정에 ‘반도체 열처리’ 과정을 시도하고 있는 것으로 확인됐다. 

삼성전자가 세계최초로 개발하고 확대적용하는 ‘반도체 열처리’ 기술은 16나노 미세화 기존 공정에서는 극복할 수 없는 한계를 뛰어넘는 획기적인 기술인 것으로 알려졌다.

삼성전자 내부 사정에 밝은 한 관계자는 "(반도체 열치리 기술은) 삼성전자가 국내 반도체 장비사업자들과 협업을 통해 세계 최초로 성공한 것으로 안다"고 말했다. 

기존 반도체 제작 전공정은 산화공정과 감광액 도포, 노광, 현상, 식각, 이온주입, 화학증착, 금속배선 뿐이었다.  여기에 새로운 열처리 기술이 들어가는 것이다.

삼성전자는 그동안 해당 열처리 기술에서 반도체양산의 효율을 담보하는 적정수율을 찾아내지 못해 애를 먹다가 최근 적정 값을 도출한 것으로 전해졌다. 

이같은 열처리 기술이 적용되면 반도체 극표면에만 열처리온도가 도달하기 때문에 불순물이 확산되지 않아, 극박반도체를 만들 수 있다. 특히 글로벌 반도체 미세화 공정에서 더 유리한 고지를 차지 할 수 있게 된다.

아울러 삼성전자는 최신공정과 장비를 오는 9월부터 양산하기로 한 D램 16나노(1Z)의 LPDDR5에 적용하기로 확정하고, 관련 장비 2차 발주를 진행한 것으로 전해진다.

삼성전자는 또 반도체 열처리 기술을 낸드플래시와 시스템LSI 등 다른 반도체 제작공정과 차세대 반도체 제작공정에도 적용할 계획인 것으로 확인됐다. 

이와 관련해 삼성전자 측은 "사실관계를 확인 해줄 수 없다"고 밝혔다.