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IT정보 삼성 전자, 28nm FD-SOI 공정 기반 eMRAM 상용 출하 시작
작성자: 마라톤 조회 수: 82 PC모드
삼성 전자, 28nm FD-SOI 공정 기반 eMRAM 상용 출하 시작
삼성 전자는 28 나노 미터 (nm)의 완전 공핍 실리콘 온 인슐레이터 (FD) 기반의 최초의 상용 임베디드 자기 랜덤 액세스 메모리 (eMRAM) 제품을 양산하기 시작했다고 발표했다. -SOI) 공정 기술, 28FDS라고 불린다.
eFlash는 전하 저장 기반 운영으로 인해 확장 성 문제에 직면 해 왔기 때문에 eMRAM은 저항 기반 동작이 강력한 확장 성을 제공하는 동시에 비 휘발성, 임의 액세스 및 강력한 내구성과 같은 메모리 반도체의 뛰어난 기술적 특성을 보유하고있어 가장 유망한 후계자였습니다 . 오늘 발표에 따르면 삼성 전자는 기술상의 장애물을 극복 할 수있는 능력을 입증했으며 임베디드 메모리 기술을 28nm 공정 노드 이상으로 확장 할 수있는 가능성을 입증했다.
삼성의 28FDS 기반 eMRAM 솔루션은 저렴한 비용으로 전례없는 전력 및 속도 이점을 제공합니다. eMRAM은 데이터를 쓰기 전에 지우기 사이클을 필요로하지 않으므로 쓰기 속도는 eFlash보다 약 1000 배 빠릅니다. 또한 eMRAM은 eFlash보다 낮은 전압을 사용하며 전원이 꺼진 상태에서 전력을 소비하지 않으므로 전력 효율성이 우수합니다.
또한, eMRAM 모듈은 최소한의 레이어 수를 추가하여 프로세스의 백엔드에 쉽게 삽입 될 수 있기 때문에 프로세스의 프론트 엔드에 대한 의존성이 적으므로 기존의 로직 기술 (예 : 대량, 핀 및 FD-SOI 트랜지스터를 포함한다. 이 플러그인 모듈 개념을 통해 고객은 추가 된 신기술, eMRAM 및 비용 절감과 동시에 기존 설계 인프라를 재사용 할 수있는 이점을 누릴 수 있습니다.
삼성 전자의 eMRAM 솔루션은 마이크로 컨트롤러 유닛 (MCU), IoT (Internet of Things) 및 인공 지능을 포함한 다양한 애플리케이션에 차별화 된 혜택을 제공 할 예정이며, 바이어스 제어를 통해 누설 전류를 최소화하면서 28FD-SOI와 결합하여 트랜지스터 제어를 향상시킨다. (일체 포함).
삼성 전자의 파운드리 마케팅 담당 부사장 인 라이언 리 (Ryan Lee)는 "새로운 소재의 복잡한 문제를 극복하고 올바른 임베디드 비 휘발성 메모리 (eNVM) 기술을 제공함으로써이 성과를 자랑스럽게 생각한다. "기존의 입증 된 로직 기술과 eMRAM을 통합함으로써, Samsung Foundry는 eNVM 프로세스 포트폴리오를 지속적으로 확장하여 고객과 시장 요구 사항을 충족시킬 수있는 탁월한 경쟁력과 뛰어난 제조 가능성을 제공합니다."
삼성 전자 기흥 캠퍼스에서 3 월 6 일에 eMRAM 제품의 첫 선적 기념 행사가 열릴 예정이다. 삼성은 올해 안에 1Gb eMRAM 테스트 칩의 테이프 아웃 (tape-out)과 같은 고밀도 eNVM 솔루션에 대한 옵션을 확장 할 계획이다.
출처 : https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-starts-commercial-shipment-of-emram-product-based-on-28nm-fd-soi-process
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